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针焦电极在石墨化过程中的晶胀机理和晶胀抑制剂的作用
a，zn,[link widoczny dla zalogowanych]，和Mn例外)(I9]。由于晶胀与o．L―L．Om孔径的孔晾有关，所以抑制剂应该在进入孔晾以后与杂原子发生反应。由于抑制剂难于渗入微孔，因此较细的颗粒更为有效。抑制剂与粘结剂沥青进入到骨架焦炭的孔隙时，骨架焦炭中的细孔分布以及牯结剂与骨架焦炭表面可湿润性都会影响抑制剂的效果，有些过渡金属能熔化,[link widoczny dla zalogowanych]，尤其是在金属、碳和碳化物三元系统中[6t．62)，而且作为碳的络台物，渗入焦炭颗粒后发现有促进石墨化的作用C21，6"。尽管单纯的碳化物在非常高的温度下才熔化，Fe203和Fe3C4的不同抑制活性就可这样解释。然而，通过透射电子显微镜观察[B0]，这些物质扩散入碳体是非常有限的，Matthews和enk~nsCs2)报导．熔融金属和石墨之间的可湿润性与扩散有关，因此，抑制剂分散性质对抑制晶胀的效果是很苛刻的[58]。经过气化或生成碳化物，抑制剂可能引起孔隙并影响焦炭微观结构，因而减少晶胀。有些金属氧化物和金属氯化物能够加快牯结剂沥青碳化过程，因此，在焙烧阶段使焦炭产率增加，并能导致较高的电极密度(B3)，这种焦炭产率增加一部份会被晶胀造成的密度降低相抵消。铁镍和锚的氧化物使焦炭产率增加，但铬氧化物呈惰性[9)。抑制剂不能有吸水性,[link widoczny dla zalogowanych]，因为电极吸收了会引起膨胀，以致降低其机械强度，因为这一点，氧化钙尽管能有效地吸收硫原子，但不能用作抑制剂(9)。九、结论本文叙述了碳电极在石墨化中发生晶胀的综合机理，从而解释了过去文献报道的试验结果，这种机理提供了对抑制晶胀有实用意义的指南．抑制剂的作用具有多重性．因第一婀折型碟材料石墨系簿膜的形成及应用一、引言小岛昭(日)随着先进技术的开发，对在这些技术中所使用的巍搏斟要求有更高的功能和高性能。为此作为解决的对策提出了：1．开发新昀炭材料制造技术；2．引入其它领域的制造技术；3．和各种技术复合化等．通过这些措施制得了具有种种特性的炭材料。将低沸点有机物在气相炭化，即所谓CVD法便是这类制造技术之一。炭材料的结构及特性取决于“生和育。前者为原料，后者为炭化方法,[link widoczny dla zalogowanych]。由CVD法生成的石墨系薄膜因是将有机物于气相进行分解，故和通常固相或液相状态炭化得到的炭材料在特性及结构上有很大不同。本文在介绍CVD法制石墨系薄膜的现状，目的在于明确这类薄膜的制法一结一构特性三者的关系。二、石墨系薄膜的种类通过气相炭化可制得种种炭材料。其中有在气相作为凝聚体析出的石墨和在基体上析出的石墨系薄膜．石墨系薄膜如表一所示，随分懈及生成温度的不同大致可分成三种：1．fi000~25O0℃生成的热解石墨(Pyro1ytjcGraphiteJPG)，2．1000~20O0℃生成的热解炭(PyrolyticCarbon，PC)和低温各向同性热解炭(LowTemperatureIsotropicPyrolyticCarbon．LT1)，3．1000℃以下生成的低温气相热解炭(LowTemperaturcPyro1ytCarbon．LTPc)等。从这类薄膜的开发过程看，PG是六十年代随着宇航技术的进步，作为火箭喷咀或鼻锥用材料被开发的。在六十年代后期制得有机铷作原料,[link widoczny dla zalogowanych]，通过CVD洼在基体上生成的薄膜·当生成温度低时称之为炭薄膜比较音适·但为了与盘剐石或类金冈I石苁等嚣磺薄膜加区别本文将通过热CVD洼生成的由碱组成的薄膜总称为石墨系薄膜．￡￡￡￡此，其材料的选择和浸渍方法都要仔细地设计．几种抑制方法综合应用可以提供理想的焦炭，以满足多方面的需要。参考文献63篇(略)李悦译谢继玄校Carbon”Vo127，No6PP0O0―917．1989
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